Ключевые слова: MgB2, substrate SiC, CVD process, fabrication, films epitaxial, thin films, microstructure, resistive transition, resistivity, temperature dependence
Li M., Xi X.X., Hellstrom E., Davidson B.A., Chen K., Acharya N., Collantes Y., Kasaei L., Manichev V., Feldman L.C., Gustafsson T., Demir M., Bhattarai P.
© Copyright 2006-2012. Использование материалов сайта возможно только с обязательной ссылкой на сайт.
Свои замечания и пожелания вы можете направлять по адресу perst@isssph.kiae.ru
Техническая поддержка Alexey, дизайн Teodor.